| Referate | Director web | Adauga link | Contact |

Titlu referat: Prin sistem de memorie se intelege un ansamblu format din mediul de memorare si circuitele electronice aferente functionarii intregului system.

Nivel referat: facultate

Descriere referat:
                        
ANALIZA COMPARATIVA 
A     
                        TIPURILOR DE MEMORIE
       SISTEME DE MEMORARIE
       Prin sistem de memorie se intelege un ansamblu format din mediul
de memorare si circuitele electronice aferente functionarii intregului
system.
       Datele sub forma binara sunt inmagazinate in diferite celule de
memorie, numite locatii (cate un bit in fiecare locatie). Fiecare locatie poate
fi identificata printr-o adresa.
       Numarul maxim de locatii adresabile constituie capacitatea
memoriei, exprimandu-se de obicei in octeti sau cuvinte si in multiplii
acestora : Kilo (1K= 2° =1024) sau Mega ( 1M = 2²º = 1048576).
       Octetul reprezinta o locatie adresabila independent cu o
capacitate de 8 biti si uneori este numit si ‘‘byte’’ sau caracter.
       Daca numarul de biti, dintr-o locatie de memorie adresabila
independent, este diferit de 8, atunci secventa poarta numele de cuvant
(contine 4, 16, 32, 64 etc. de biti – lungimea cuvantului).
           SCHEMA BLOC A UNUI
SISTEM DE MEMORIE
         COMANDA
             
                   
        
COMANDA
  DE SCRIERE A
DATELOR                  
             DE CITIRE A DATELOR      
 
 
       
             
 
       
             
   INTRODUCERE
       
             
   SI EXTRAGERE
               
                    A DATELOR
       
             
                   
           
         INTRODUCEREA
       
             
                   
           
             ADRESELOR
       Complexitatea operatiilor efectuate de un calculator, ca si viteza
lui de calcul depind in principal de capacitatea, viteza si organizarea
memoriei sale.
       Pentru inscrierea in memorie, informatia este introdusa mai intai
in registrul de date (informatii), iar adresa locatiei unde va fi inmagazinata
informatia se introduce in registrul de adrese.
       Transferul informatiei in locatia respectiva are loc in urma
aplicarii comenzii de inscriere a datelor.
       Pentru citirea informatiei, se specifica mai intai adresa locatiei
de memorie, cu ajutorul registrului de adrese. Informatia este transmisa din
memorie in registrul de informatii, in vederea citirii, in urma aplicarii
comenzii de citire a datelor.
       Pentru a face posibila recunoasterea locatiei, atat la scriere,
cat si la citire, continutul registrului de adrese se decodifica, cu ajutorul
unui decodificator de adrese.
       
       
       Clasificarea si
caracteristicile unei memorii
In majoritatea sistemelor de calcul se
utilizeaza urmatoarele tipuri de memorii :
Memorii interne :caracterizate prin
capacitate mica si viteza mare de operare ;
Memorii externe : de capacitate foarte
mare si viteza redusa de operare (sau acces) ;
Memorii –
tampon : de capacitate medie si viteza de operare
comparabila cu a memoriilor interne.
De asemenea, memoriile se mai pot clasifica
in :
Memorii distructive : la care
informatia este distrusa in urma citirii ;
Memorii nedistructive : la care
informatia nu este alterata la citire.
Dupa modul de functionare, memoriile pot
fi :
Statice : retin informatia cat timp
memoria este alimentata ;
Dinamice : chiar cand sunt alimentate,
stocheaza informatia un timp scurt (1-2 ms) ; continutul memoriei trebuie
improspatat din timp in timp ;
Din punct de vedere al modificarii
continutului memoriei, memoriile pot fi :
Memorii numai citeste (ROM = READ ONLY
MEMORY) –continutul se
inscrie la fabricarea circuitului integrat.
Memorii citeste-scrie (RWM = READ WRITE
MEMORY sau RAM = RANDOM ACCES MEMORY – memorie cu acces aleatoriu).
Memorii semipermanente : reprogramabile
( READ MOSTLY MEMORY).
Caracteristicile unei memorii
Timpul de acces (de adresare)
Este durata intre solicitarea unei celule
(locatii ) in memorie si momentul cand continutul locatiei respective poate fi
citit (30-60 ns la memoriile TTL ; 100-500 ns la memoriile MOS)
2.  Modul de acces : exista doua moduri de organizare a unei retele   
de celule de memorie :
Serie in care timpul de localizare unei
adrese depinde de pozitia ei in retea ;
Aleator (RANDOM ACCES) : care nu
depinde de pozitia adresei in retea.
Capacitatea de inmagazinare
Numarul de celule continute de o memorie
este totdeauna o putere a lui 2. Capacitatea reprezinta produsul intre numarul
de cuvinte in memorie si numarul de celule cuprinse in fiecare
cuvant.
4.  Puterea electrica consumata de o memorie se raporteaza la un bit si se masoara in
mw/bit.
Memorii TTL – 1mw/bit;
Memorii MOS – 0,1 mw/bit;
Memorii CMOS – 0,01 mw/bit.
MEMORII ROM
       Memoriile ROM (Read Only Memories = memorie numai pentru citire )
sunt utilizate pentru pastrarea programelor. Sunt circuite LSI in care
elementele componente se interconecteaza in procesul de fabricatie, astfel
incat sa asigure memorarea informatiei binare cu o structura fixa. Dupa ce
memoria a fost programata astfel de catre producator, nu mai poate fi schimbata
de utilizator (memorie moarta) si nu se pierde dupa decuplarea de la sursa de
alimentare cu energie electrica.
       Sunt memorii de tip special, in care informatia se inscrie chiar
la fabricarea circuitului integrat. Odata realizata, intr-o memorie din aceasta
categorie nu se mai poate inscrie nici o alta informatie, dar continutul sau se
poate citi ori de cate ori se doreste.
       Mai poate fi intalnita si sub denumirile :memorie fixa, memorie
moarta, nealterabila sau permanenta.
       Organizarea sub forma de matrice permite reducerea numarului
intrarilor de adresare la un numar mai mic decat numarul informatiilor
stocate.
       Numarul terminalelor de adresare poate fi micsorat prin adresarea
in cod binar si utilizand decodificatoare.
       Acest mod de adresare in cod binar este utilizat si in cazul
memoriilor RAM.
       Memoriile ROM pot fi realizate si in tehnologia bipolara, si in
tehnologia MOS.
                 
     Memoriile ROM
programabile
       Programarea PROM-urilor se realizeaza prin asa numita
“ardere”, in felul urmator: un modul de memorie integrata este alcatuit
din  matrici de celule de memorie bazate pe contacte electrice bistabile,
starea dechis fiind codificata “0” logic, iar starea inchis “1” logic.
Combinarea acestora in functie de coordonatele xy ale matricei conduce la
obtinerea de coduri citite sau inscrise. In memoria PROM, fiecare celula de
memorie este conectata in serie cu un element fuzibil de aluminiu sau
nichel-crom, avand lungimea de cativa µm. In timpul programarii memoriei cu ajutorul unui dispozitiv
comandat prin calculator, segmental fuzibil poate fi distrus prin ardere la
transmiterea unui current de 0,1-1 A. Distrugerea legaturii determina memorarea
unei stari sau mentinerea legaturii, alta stare binara.
       Capacitatea memoriei indica numarul de cuvinte de calculator (
octet sau codul unui caracter) posibil de memorat. Se exprima in Kocteti,
Kbyte, Kcuvinte, acesta din urma pentru  ‘‘cuvinte’’  codificate cu 8,16 sau
chiar 32 biti.
                 
           
 Memorii RAM   
       
       Memoriile RAM (RANDOM ACCES MEMORIES = memorii cu posibilitati de
citire sau inscriere) sunt specializate pentru inregistrarea datelor sau
rezultatelor. Ca principiul de functionare, memoriile RAM realizate prin
tehnica MOS pot fi statice sau dinamice, continutul memoriei improspatandu-se
la 1-2 ms. Prezinta dezavantajul ‘‘volatizarii’’ (stergerii) informatiei la intreruperea alimentarii cu energie
electrica. Prevenirea intreruperilor nedorite se obtine prin alimentarea cu o
baterie la bornele circuitului RAM.
       Momoriile RAM se realizeaza atat in tehnologie bipolara,cat si in
tehnologie MOS.
Celulele de memorie bipolare sunt de tip
static(retin imformatia atata timp cat celula este alimentata la o sursa de
tensiune).
Celulele de memorie de tip MOS pot fi
statice,fie dinamice.
Memoriile MOS dinamice au urmatoarele
avantaje fata de cele statice :
Putere consumata in repaus este mult mai mica;
Numarul de trazistoare pe celula de memorie este mult mai mic.Se
pot realiza memorii de capacitate mai mare pe cip,la un pret de cost mai
mic.
Memoriile RAM in tehnologia MOS au capatat o
mare raspandire datorita faptului ca sunt mai ieftine,tehnologic sunt mai usor
de realizat,ocupa un volum de 5-6 ori mai mic decat cel al memoriilor cu
tranzistori bipolari. Viteza lor de lucru si timpul de acces sunt intrucatva
inferioare memoriilor cu tranzistoare bipolare,in schinb consumul lor este mult
mai mic.Memoriile RAM in tehnologia TTL utilizeaza de regula tranzistoare
multiemitor.
                 
     DATE DE CATALOG
               Tipuri
reprezentative de memorii integrate
7481 –
memorie citeste – scrie
(RAM) de 16 biti.
             
14       13     
12       11     
10      
9        8
                   
       
         
3JH         
333333333        
3           
33                         
     
 
              
1       
2        
3       
4       
5        
6        7  
...



Curs valutar
Euro4,5511
Dolarul american4,2615
Lira Sterlina5,3015
Gramul de aur170,1555
Leul moldovenesc0,2176
Materii referate

Anatomie (61)

Astronomie (61)

Biologie (546)

Chimie (530)

Contabilitate (87)

Design (4)

Diverse (878)

Drept (356)

Ecologie (59)

Economie (520)

Educatie Fizica (2)

Educatie si Invatanmant (2)

Engleza (463)

Filosofie (99)

Fizica (343)

Franceza (25)

Geografie (838)

Germana (40)

Informatica (354)

Istorie (1169)

Italiana (21)

Latina (26)

Literatura (22)

Logica (6)

Management (133)

Marketing (118)

Matematica (114)

Mecanica (13)

Medicina si Farmacie (229)

Muzica (35)

Psihologie (337)

Religie (248)

Romana (2303)

Spaniola (31)

Statistica (17)

Stiinte politice (27)

Turism (64)

Nota explicativa

Informatiile oferite de acuz.net au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica. Va recomandam utilizarea acestora doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale.