| Referate | Director web | Adauga link | Contact |

Titlu referat: Analiza comparativa a tipurilor de memorie

Nivel referat: liceu

Descriere referat:
Analiza comparativa a tipurilor de
memorie
1. Sisteme de
memorie
              
Putem defini functia de memorare ca fiind posibilitatea de regasire a unor
informatii reprezentata sub forma binara care au fost anterior
stocate.
  Un circuit de memorare este un circuit
electronic care implementeaza functia de memorare . Mentionam  ca
implementarea acestei functii se poate realiza in mai multe moduri ,depinzand
de suportul fizic folosit pentru stocarea datelor . Putem avea spre exemplu
memorii magnetice ,memorii optice ,memorii semiconductoare .In continuare avem
in vedere numai circuite de memorie realizate cu dispozitive semiconductoare
.Din punct de vedere al memorarii ,memorarea unor informatii sub forma numerica
mai precis a unor numere reprezentate sub forma binara, aceste numere nu au
nici  o importanta.
2.Clasificarea si
caracteristicile unei memorii
       In
functie de modul de utilizare in raport cu un sistem de calcul a acestor
memorii avem urmatoarele tipuri de functii de meorare:
functia de memorare cu citire si scriere de date; in aceasta
categorie intra asa numitele memorii cu acces aleator RAM (Random Acces Memory)
care permit citirea si inscrierea unor  noi date de catre sistemul care le
utilizeaza , precum si memoriile EEPROM (Electricaly Eraseable Programmable
Read Only Memory) care pot fi atat citite cat si sterse in mod selectiv si
programate de catre sistemul care le utilizeaza.
functia de memorare  numai cu citire de date ;in aceasta
categorie intra memoriile ROM (Read Only Memory),PROM (Programable Read Only
Memory), EPROM (Eraseable Programable Read Only Memory) care pot fi numai
citite de catre sistemul care le utilizeaza ;stergerea posibila numai in cazul
memoriilor de tip EPROM.nu este efectuata de catre sistemul utilizator si nu
este selectiva in raport cu informatia inscrisa.
  Asa cum este usor de observat regasirea
unei informatii stocate necesita furnizarea unor semnale privind locul unde se
gaseste aceasta informatie . Aceste semnale constituie intrari pentru circuitul
de memorie si se numesc  adrese .Numerele binare memorate constituie date
pentru acest circuit si ele sunt semnale de intrare atunci cand se citeste din
memorie . In final trebuie sa precizam ca accesul la memorie se face la un
moment de timp bine determinat ,moment necesar a fi comunicat printr-un semnal
circuitului de memorie .
                 
Trebuie  sa precizam ca transferul de date este
bidirectional (datele intra si ies din din circuit ) in cazul memoriilor RAM si
EEPROM si unidirectional (datele ies din circuit )in cazul memoriilor ROM ,
PROM si EPROM.
     
Caracteristicile mai importante ale unei memorii sunt :
geometria sau modul de organizare a memoriei reprezentat de
lungimea unui cuvant si numarul de cuvinte memorate.
capacitatea  memoriei ; reprezentand numarul total de biti ce
pot fi memorati ; se exprima in general in multipli de 1k = 1024 de
biti.
timpul de  acces la memorie; se exprima in [us] sau [ns]
reprezentand timpul necesar pentru citirea sau scrierea unor informatii in
memorie.
Puterea consumata ; pentru caracterizarea din acest punct de vedere
a unei memorii , se foloseste puterea consumata raportata al un bit de
informatie , respectiv raportul dintre puterea totala consumata de circuit si
capacitatea acestuia ; se masoara in [uw/bit].
Volatitatea ; o memorie este volatila daca informatia inscrisa se
pierde in timp ; pierderea informatiei se poate datora fie modului de stocare a
acesteia (memoriei  dinamice fie datorita disparitiei tensiunilor de
alimentare ale circuitului.
3. Memorii ROM
;Memorii ROM programabile
       Memoriile
Rom sunt circuite de memorie ale caror continut este programat la fabricare si
nu poate fi schimbat de utilizator. Un exemplu de celula de baza pentru un
astfel de memorie este dat in figura de mai jos:
 
    Ea  este constituita
dintr-un tranzistor cu efect de camp a carui tensiune de prag  difera in
functie de continutul informational al locatiei respective .
       Daca la
aplicarea unui impuls pozitiv pe grila tranzistorul conduce atunci el se
comporta ca un scurtcircuit drena sursa , informatia inscrisa fiind 0 logic;
daca ramane blocat atunci avem 1 logic .
   Obtinerea unor tranzisotare cu
tensiuni de prag diferite se face printr-un strat de oxid de grosime
corespunzatoare intre grila tranzistorului si substrat 
Exista si memorii ROM-PROGRAMABILE (PROM si
EPROM). Memoriile PROM sunt circuite de memorie al caror continut este
programat o singura data de utilizator.Dupa inscriere informatia nu mai poate
fi stearsa.  Celula de memorie  a unor astfel de circuite au la baza
un fuzibil din polisiliciu care este ars la programare .Celula de baza a unei
memorii PROM este realizata cu tranzistoare bipolare.
Initial toate fuzibilele memoriei sunt
scurtcircuitate .
   Programarea
unei celule inseamna arderea fuzibilului  din nodul respectiv . Pentru
programare se aplica impuls pozitiv pe baza  ,iar linia de bit DL se
mentine la potential coborat .Curentul de emitor al tranzistorului , suficient
de mare , produce arderea  fuzibilului F . Programarea se face succesiv pe
fiecare celula ,selectia unei celule facandu-se prin liniile WL si
DL.
   Memoriile EPROM se folosesc
pentru realizarea celulei de memorie un tranzistor cu efect de camp cu dubla
poarta (grila) ,una comanda si una izolata.
  Daca pe poarta izolata este acumulata
sarcina electrica negativa atunci aplicarea unor tensiuni pozitive pe grila a
doua(Vc) nu poate aduce in stare de conductie tranzistorul. Daca pe poarta
izolata nu este acumulata o sarcina atunci aplicarea tensiunii pozitive pe Vc
creaza un camp care duce la formarea canalului n si la conductia tranzistorului
. Nivelul logic pe linia de bit este 1 cand tranzistorul este blocat si 0 cand
acesta conduce. Injectarea de sarcini negative pe grila izolata se face prin
aplicarea unei tensiuni drena , si o tensiune pozitiva pe grila . Tensiunea Vds
mare , duce la campul electric intern intens , trec prin stratul de oxid foarte
subtire si se acumuleaza in grila izolata .Pentru stergereainformatiei din
celula si revenirea in stare neprogramata (tranzistor blocat)se expune
circuitul la actiunea radiatiei ultraviolete . Electronii din grila preiau
energie de la radiatie si trec inapoi in substrat prin stratul
izolator.
     Memoriile EEPROM
folosesc un principiu asemanator , numai ca pentru trecerea electronilor
stratul izolator utilizeaza efectul tunel[1s] . Structura tranzistorului de
memorare si a unei celule de memorie este data in figura de mai jos : Celula de
memorie pentru acest tip de circuit este formata din doua tranzistoare TEC
obisnuit (T2) si tranzistorul prezentat mai sus (T1) care este un
TEC-MOS.Intr-o celula de memorie stearsa , grila izolata este incarcata cu
sarcina negativa si tranzistorul T1 este blocat.
   Stergerea informatiei din celula
se face astfel : se aplica tensiunea pozitiva(+20 V) pe linia de selectie
cuvant punand in conductie tranzistorul T. Drena acestuia se conecteaza la
potential zero si se aplica +20V pe linia de programare .Datorita campului
electric intern mare . electronii care trec din substrat prin efect tunel si se
acumuleaza in grila izolata ,formand o sarcina negativa .
     Inscrierea
informatiei in celula se face aplicand +20V pe linia selectie cuvant(WL) si
+18V in drena tranzistorului T2 in timp ce linia de programare este la
potential zero .Campul electric format intre grila si substrat (= substrat ,-
grila ) smulge  electroni din grila a doua , aceasta acumuleaza sarcina
pozitiva si tranzistorul T1 intra in conductie  prin formarea canalului
“n” intre drena si sursa.



Curs valutar
Euro4,5511
Dolarul american4,2615
Lira Sterlina5,3015
Gramul de aur170,1555
Leul moldovenesc0,2176
Materii referate

Anatomie (61)

Astronomie (61)

Biologie (546)

Chimie (530)

Contabilitate (87)

Design (4)

Diverse (878)

Drept (356)

Ecologie (59)

Economie (520)

Educatie Fizica (2)

Educatie si Invatanmant (2)

Engleza (463)

Filosofie (99)

Fizica (343)

Franceza (25)

Geografie (838)

Germana (40)

Informatica (354)

Istorie (1169)

Italiana (21)

Latina (26)

Literatura (22)

Logica (6)

Management (133)

Marketing (118)

Matematica (114)

Mecanica (13)

Medicina si Farmacie (229)

Muzica (35)

Psihologie (337)

Religie (248)

Romana (2303)

Spaniola (31)

Statistica (17)

Stiinte politice (27)

Turism (64)

Nota explicativa

Informatiile oferite de acuz.net au scop educativ si orientativ pentru cercetare academica. Va recomandam utilizarea acestora doar ca sursa de inspiratie sau ca resurse educationale.